TEKNOLOGI MEMORI TERBARU

TEKNOLOGI MEMORI TERBARU

   1.feTRAM

Sebuah teknologi Ram (Random Access Memory) baru saat ini tengah dikembangkan oleh para peneliti. Dengan kombinasi tersebut, konsumsi energi RAM menjadi lebih hemat daya namun memiliki kecepatan yang jauh lebih baik.

pembuatnya di Birck Nanotechnology Center (BNC) di Purdue University, berkat kombinasi tersebut, FetRAM memiliki performa tersendiri dibandingkan dengan RAM tradisional.

 FeTRAM (ferroelectric transistor random acces memory) merupakan hasil kombinasi kawat nano silikon dengan polimer “feroelektrik”, bahan yang mengaktifkan polaritas ketika medan listrik dialirkan. 

Diagram ini menunjukkan tata letak jenis baru memori komputer yang bisa lebih cepat daripada memori komersial yang ada saat dan penggunaan daya listrik yang jauh lebih sedikit dari perangkat memori flash.

           Transistor feroelektrik yang mengubah polaritas dibaca sebagai 0 atau 1, operasi yang diperlukan bagi sirkuit digital untuk menyimpan informasi dalam kode biner yang terdiri dari urutan satu dan nol. Teknologi baru ini disebut FeTRAM, untuk memori transistor feroelektrik akses acak.

           Teknologi FeTRAM memiliki penyimpanan non-volatile, artinya ini tetap berada di dalam memori meski komputer sudah dimatikan. Perangkatnya bisa berpotensi menggunakan energi 99 persen lebih rendah dari memori flash, chip penyimpanan komputer non-volatile dan bentuk dominan memori di pasar komersial. Namun FeTRAM sekarang ini masih mengkonsumsi daya lebih banyak karena skalanya masih kurang tepat. Untuk teknologi FeTRAM generasi masa depan, salah satu tujuan utamanya adalah mengurangi disipasi daya listrknya. Mungkin juga akan jauh lebih cepat dari pada bentuk lain memori komputer yang disebut SRAM.”

           Teknologi FeTRAM memenuhi tiga fungsi dasar dari memori komputer, yaitu untuk menulis informasi, membaca informasi dan tahan dalam jangka waktu yang panjang.Teknologi baru ini juga kompatibel dengan proses industri manufaktur untuk semikonduktor oksida logam komplementer, atau CMOS, yang digunakan untuk memproduksi chip komputer. Ini memiliki potensi untuk menggantikan sistem memori konvensional.

           FeTRAM mirip dengan memori akses acak feroelektrik, FeRAM, yang sedang digunakan secara komersial namun pasar semikonduktornya masih relatif kecil secara keseluruhan. Keduanya menggunakan bahan feroelektrik untuk menyimpan informasi secara non-volatile, namun tidak seperti FeRAM, teknologi baru ini memungkinkan pembacaan yang tidak destruktif, artinya informasi dapat dibaca tanpa menghilangkannya. Pembacaan non-destruktif ini dimungkinkan dengan menyimpan informasi  menggunakan transistor feroelektrik, bukan kapasitor, yang digunakan dalam FeRAM konvensional.

           Pekerjaan ini didukung oleh Research Initiative Nanoteknologi (NRI) melalui Network for Computational Nanotechnology (NCN) Purdue, yang didukung oleh National Science Foundation.

  2.MRAM

Sebelumnya Anda pasti pernah mendengar istilah RAM (Ramdom Access Memory) untuk menyebut memory komputer. Memory RAM ini memiliki berbagai jenis mulai dari EDO RAM, DDR1, DDR2 dan beberapa jenis lainnya.Namun ternyata RAM saja belum cukup untuk memuaskan kebutuhan manusia akan tuntutan kecepatan. Oleh karena itu, Fisikawan dan Insinyur Jerman mengembangkan sebuah jenis memory baru.

Memory tersebut diberi nama Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM), memory ini bukan hanya lebih cepat daripada RAM tetapi juga Lebih hemat Energi. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile computing dan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan medan magnit.IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana menggunakan MRAM, MRAM ini akan memutar elektron-elektron untuk mengganti kutub magnet. Hal ini juga dikenal sebagai spin-torque MRAM (Torsi putar MRAM) teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para fisikawan dan insinyur Jerman.

Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar.

       Yang pasti, kecepatan MRAM mencapai 10 kali lipat kecepatan RAM. Kecepatan ini masih bisa terus dikembangkan dimasa depan. MRAM merupakan teknologi masa depan. Memori tak lagi disimpan dalam bentuk elektronik, melainkan wujud magnetik. Beberapa hal yang diunggulkan dari teknologi ini adalah biaya produksi yang lebih murah, flash memory yang tak mudah menguap, hemat baterai, serta memungkinkan kmputer dapat menyala seketika. Hebatnya bukan cuma komputer, teknologi chip MRAM bisa dimanfaatkan untuk aplikasi telepon selular dan konsol permainan.Bahkan ketika kmputer dimatikan, MRAM masih bisa menyisakan informasi di dalamnya. Kemampuan ini memungkinkan komputer bisa start lebih cepat tanpa perlu melakukan booting software lebih dulu.Untuk teknologi MRAM, Infinion menyebutnya dengan sebutan ferro-electric RAM (Fe-RAM). 

        Keunggulan nyata MRAM adalah gabungan keunggulan beberapa teknlogi RAM sebelumnya, yaitu high speed static RAM (SRAM), kapasitas memori dan biaya produksi serendah DRAM, dan flash memori-nya yang tak mudah menguap.Bila SRAM dan DRAM membutuhkan energi listrik dalam menyimpan data, maka MRAM tak bergantung pada 100 persen. Akibatnya, bila listrik padam, data tersimpan akan hilang seketika. MRAM masih dapat menyimpan data kendati arus listrik terputus tiba-tiba.